%0 Journal Article
%T Ge2Sb2Te5的化学机械抛光研究进展
%A 何敖东
%A 刘波
%A 宋志棠
%A 冯高明
%A 朱南飞
%A 任佳栋
%A 吴关平
%A 封松林
%J 化学学报
%P 1111-1117
%D 2013
%R 10.6023/A13030326
%X 相变存储器由于具有非易失性、高速度、低功耗等优点被认为最有可能成为下一代存储器的主流产品,Ge2Sb2Te5(GST)作为一种传统相变材料已经被广泛应用在相变存储器中,而GST的化学机械抛光作为相变存储器生产的关键工艺目前已被采用.本工作综述了有关GST的化学机械抛光技术研究进展,讨论了GST化学机械抛光过程的影响因素,如下压力、转速、抛光垫、磨料、氧化剂、表面活性剂等,并对目前GST的化学机械抛光机理进行了归纳,进一步展望了GST的化学机械抛光技术的发展前景.
%K Ge2Sb2Te5
%K 化学机械抛光
%K 相变存储器
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract342114.shtml