%0 Journal Article
%T 石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料的制备及其储锂性能
%A 田雷雷
%A 魏贤勇
%A 庄全超
%A 宗志敏
%A 孙世刚
%J 化学学报
%P 1270-1274
%D 2013
%R 10.6023/A13030293
%X 半导体的能级结构和金属-半导体异质结的结构及性质对金属-半导体复合材料的导电性能具有重要影响.优化半导体相的能级结构和金属-半导体接触界面的势垒是增强金属-半导体型复合电极材料导电能力,提高复合电极材料储锂性能的重要途径.采用水热反应-原位热还原法制备石墨烯包覆Cu2+1O/Cu复合材料.根据SEM和XRD研究结果,Cu2+1O(金属过剩型Cu2O)和Cu复合体被均匀包裹在柔性石墨烯层中.充放电结果表明,石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料电极具有较高的充放电容量和优异的循环性能,50mA？g-1充放电的首周充电和放电比容量分别为773和438mA？h？g-1,60周的容量保持率为84%;同时也具有很好的倍率性能,表明石墨烯包裹Cu2+1O/Cu复合材料具有良好的金属-半导体异质结界面的结构和优异的导电性能.
%K 石墨烯
%K 氧化亚铜
%K 半导体
%K 异质结
%K 锂离子电池
%K 电子输运
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract343500.shtml