%0 Journal Article
%T 金箔上单层MoS2的控制生长及电催化析氢应用
%A 史建平
%A 马冬林
%A 张艳锋
%A 刘忠范
%J 化学学报
%P 877-885
%D 2015
%R 10.6023/A15030157
%X 金属衬底上单层MoS2的可控批量制备是探索其微观形貌、新奇物理化学特性以及潜在应用的重要前提.最近,我们利用低压化学气相沉积的方法,在多晶金箔上实现了高质量、大面积/大批量、畴区尺寸可调(从几百纳米到几十微米)单层MoS2的可控制备;利用低能电子显微/衍射实现了直接生长的单层MoS2畴区取向和畴区边界的原位识别;利用金箔上合成的纳米尺寸MoS2作为电催化析氢反应的催化剂,实现了高效的析氢效果(塔菲尔斜率约61mV/dec,交换电流密度约38.1μA/cm2).本文将以这些研究成果为主线,系统地阐述金箔上单层MoS2的可控制备和转移、畴区的原位识别以及在电催化析氢反应中的应用,并对该领域的未来发展趋势和所面临的挑战进行简要的展望.
%K 二硫化钼
%K 金箔
%K 化学气相沉积
%K 可控制备
%K 低能电子衍射
%K 电催化析氢反应
%U http://sioc-journal.cn/CN/abstract/abstract345138.shtml