%0 Journal Article
%T InGaAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算
%J 北京工业大学学报
%D 2011
%X 为了进一步优化半导体激光器的性能,讨论了影响激光器中许多参数的能带结构.以InGaAs/GaAs应变量子阱材料为例,利用有限差分法对考虑价带混合效应的6×6Luttinger-Kohn哈密顿量精确求解,得到导带和价带的能带结构图.计算结果表明,应变改变了传统无应变量子阱激光器中轻的导带有效质量与非常重的价带有效质量之间的巨大不对称性,更有利于提高激光器的性能.
%K 应变量子阱
%K 能带结构
%K 6×6Luttinger-Kohn哈密顿量
%K 有限差分法
%U http://www.bjgd.cbpt.cnki.net/WKA/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=E9542CD6-C0E7-4773-B907-36DF96A755DC