%0 Journal Article
%T 沟槽栅功率MOSFET导通电阻的模拟研究
%J 北京工业大学学报
%D 2011
%X 为了进一步降低沟槽栅功率MOS器件的导通电阻,提出了一种改进的trenchMOSFET结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trenchMOSFET和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.
%K 沟槽栅MOSFET
%K 导通电阻
%K 击穿电压
%K 器件仿真
%U http://www.bjgd.cbpt.cnki.net/WKA/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=0D676121-FD3A-48EB-B576-DC5FD92B5A1C