%0 Journal Article
%T 具有高电流增℃-击穿电压优值的新型应变Si/SiGeHBT
%J 北京工业大学学报
%D 2015
%X 为了改善器件的高压大电流处理能力,利用SILVACOTCAD建立了应变Si/SiGeHBT模型,分析了虚拟衬底设计对电流增℃的影响.虚拟衬底可在保持基区-集电区界面应力不变的情况下实现基区Ge组分的高掺杂,进而增大电流增℃.但器件的击穿电压仍然较低,不利于输出功率的提高和系统信噪比的改善.考虑到集电区设计对电流增℃影响不大但与器件击穿电压密切相关,在采用虚拟衬底结构的同时,对器件的集电区进行选择性注入设计.该设计可在集电区引入横向电场,进而提高击穿电压.结果表明:与传统的SiGeHBT相比,新器件的电流增℃和击穿电压均得到显著改善,其优值茁·VCEO改善高达14.2倍,有效拓展了微波功率SiGeHBT的高压大电流工作范围.
%K 应变Si/SiGeHBT
%K 选择性注入集电区
%K 击穿电压
%K 电流增℃
%U http://www.bjgd.cbpt.cnki.net/WKA/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=dd69829b-4fe3-4848-8bb0-b55fa473cb06