%0 Journal Article
%T 500V沟槽阳极LIGBT的设计与优化
%J 北京工业大学学报
%D 2012
%X 介绍一种双外延绝缘体上硅(silicononinsulator,SOI)结构的沟槽阳极横向绝缘栅双极型晶体管(trenchanodelateralinsulated-gatebipolartransistor,TA-LIGBT).沟槽阳极结构使电流在N型薄外延区几乎均匀分布,并减小了元胞面积;双外延结构使漂移区耗尽层展宽,实现了薄外延层上高耐压低导通压降器件的设计.通过器件建模与仿真得到最佳TA-LIGBT的结构参数和模拟特性曲线,所设计器件击穿电压大于500V,栅源电压Vgs=10V时导通压降为0.2V,特征导通电阻为123.6mΩ.cm2.
%K 沟槽
%K 横向绝缘栅双极晶体管
%K 击穿电压
%K 导通压降
%K 阈值电压
%K 特征导通电阻
%U http://www.bjgd.cbpt.cnki.net/WKA/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=4BEB5A7F-2576-45CF-86ED-2A9918EB678E