%0 Journal Article
%T 新型金刚石薄膜场电子发射的特性
%J 北京工业大学学报
%D 2000
%X 介绍了用微波ＣＶＤ法制备的一种新型低阈值电压大电流密度金刚石薄膜场发射冷阴极，阈值电压低于１．０９Ｖ／μｍ，场发射电流密度高达４１８ｍＡ／ｃｍ２，这是目前文献中报道的最好结果之一．文中还探讨了金刚石薄膜场电子发射机制．
%K 金刚石薄膜
%K 场电子发射
%K 负电子亲和势(NEA)
%U http://www.bjgd.cbpt.cnki.net/WKA/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=D3551EA1-9242-436C-859A-98B98FDC91D7