%0 Journal Article
%T SiC薄膜生长过程中的偏压作用
%J 北京工业大学学报
%D 2002
%X 采用分步偏压溅射法，在Ｓｉ（１００）衬底上制备了高质量的ＳｉＣ薄膜．傅里叶红外（ＦＴＩＲ）光谱测试表明，分步偏压法不仅有利于提高ＳｉＣ薄膜的生长速率，同时也有利于ＳｉＣ薄膜的成核生长．通过原子力显微镜（ＡＦＭ）观察到，单一偏压法制备的样品表面有许多的凹坑，而分步偏压法制备的样品表面则没有出现明显的凹坑．因此，采用分步偏压溅射法不仅可以提高薄膜的生长速率，同时也可以减小对薄膜的离子刻蚀作用，改善薄膜的质量．
%K SiC
%K RF溅射
%K 分步偏压
%U http://www.bjgd.cbpt.cnki.net/WKA/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=19179FDA-FD0A-4CF0-94BE-5C43ECDE9345