%0 Journal Article
%T 多发射极Si/SiGe异质结晶体管
%J 北京工业大学学报
%D 2003
%X 在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_x/Si为纵向结构,梳状10指发射区为横向结构的异质结晶体管,利用双台面工艺方法制造出具有如下参数的器件:电流增益β=26、V_(CB)=7V、I_(CM)≥180mA、f_T≤2GHz,实现了高频大功率,充分显示出Si/Si_(1-x)Ge_x材料的优越性。
%K Si/SiGe异质结双极晶体管
%K 梳状结构
%K 双台面工艺
%U http://www.bjgd.cbpt.cnki.net/WKA/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=991BCE4E-CFB2-4704-AB5C-79BD5E479BBB