%0 Journal Article
%T 掩埋金属自对准工艺对SiGeHBT性能的改善
%J 北京工业大学学报
%D 2007
%X 为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷,引入了掩埋金属自对准工艺.新工艺使SiGeHBT的制作不受最小光刻条宽的限制,从而有效利用了现有的光刻精度.由此工艺得到的器件测量结果证明,在不提高现有光刻设备精度的基础上,掩埋金属自对准工艺对器件的性能有了改进.
%K 掩埋金属
%K 自对准
%K 结面积利用率
%K 金属-半导体接触
%U http://www.bjgd.cbpt.cnki.net/WKA/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=B6385F4B-F3D8-4FD9-AA01-7ABDC213E57D