%0 Journal Article
%T 等离子体处理对GaN发光二极管性能影响
%J 北京工业大学学报
%D 2008
%X 为了研究等离子体处理对ICP刻蚀损伤的恢复效果,将多个样品放置于不同温度的等离子体增强化学气相沉积样品台上,通过改变射频源功率,分别使用N_2、N_2O和NH_3等离子体对GaN发光二极管进行处理.研究结果表明,在100℃、20W的射频功率条件下,用N_2O等离子体处理GaN发光二极管可以极大地改善器件的光电特性;用N_2等离子体处理GaN发光二极管可以使器件的光电特性得到微弱改善;但是使用NH_3等离子体处理GaN发光二极管,会使其光电特性明显恶化.
%K 光电子
%K 半导体材料
%K 发光二极管
%U http://www.bjgd.cbpt.cnki.net/WKA/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=5CDBDAA7-FAA8-490F-AE73-DB80EE561E37