%0 Journal Article
%T 氧化钼单晶体的生长及分形结构
%A 张济忠
%A 李恒德
%J 金属学报
%P 135-138
%D 1990
%X 本文报道了研究氧化钼结晶的一个新的实验方法及结果。把钼板在氧化性气氛中适当地加热到900℃后,获得了Mo_5O_(14)的单晶体。其中最大的单晶体尺寸为15×1.1mm,用Rutherford背散射技术(RBS)测定其厚度为310nm。在750℃加热后,观察到由许多氧化钼晶须所组成的分形结构。对氧化钼单晶的生长及分形结构的形成机理进行了讨论。
%K 氧化钼
%K 单晶
%K 分形结构
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1990/V26/I4/135