%0 Journal Article
%T FeNiCrSiB／Cu／FeNiCrSiB膜的磁畴结构和巨磁阻抗效应
%A 刘德镇
%A 萧淑琴
%J 金属学报
%P 535-538
%D 2000
%X 用高频溅射法制备了ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ／Ｃｕ／ＦｅＮｉＣｒＳｉＢ膜,经３５０℃退火２０ｍｉｎ后得到性能优良的巨大磁阻抗材料,磁畴结构观察表明,样品中心为均匀的细条畴靠近边缘,磁畴方向转向横向,这种畴结构有利于磁力线的闭合,是获得显著的巨阻抗效应的重要原因之一,磁阻抗测量表明,样品在１３ＭＨＺ的频率下,分别获得了６３％和７％的纵向和横向磁阻抗比.
%K 巨磁阻抗效应
%K 磁畴结构
%K 软磁合金
%K 薄膜
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2000/V36/I5/535