%0 Journal Article
%T 原位合成MoSi2-SiC复合材料的室温增韧
%A 孙祖庆
%A 张来启
%A 杨王玥
%A 傅晓伟
%A 朱静
%J 金属学报
%P 104-108
%D 2001
%X 原位合成MoSi2-SiC复合材料的断裂韧性明显高于单一MoSi2的断裂韧性组织结构的TEM与HREM研究结果表明原位合成MoSi2/SiC界面为直接的原子结合,无SiO2非晶层存在结合对该复合材料的KIc断口形貌及压痕裂纹连续扩展路径的观察分析表明,其室温增韧机制为MoSi2-SiC界面间较高的结合力、MoSi2基体晶粒细化及裂纹偏转和桥接.
%K MoSi2-SiC复合材料
%K 原位合成
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2001/V37/I1/104