%0 Journal Article
%T 调制结构对TiN/TaN多层膜的生长行为及力学性能的影响
%A 赵阳
%A 王娟
%A 徐晓明
%A 张庆瑜
%J 金属学报
%P 389-393
%D 2006
%X 利用反应磁控溅射方法，设计并制备了调制周期相同而调制比的TiN/TaN多层膜。利用X射线衍射仪、高分辨透射电子显微镜和纳米压痕仪对多层膜的结构、微观状态和力学性能进行乐系统表征。结果表明调制结构不仅改变多层膜的生长速率，而且能导致多层膜择优生长取向的变化；界面应力的存在使得薄膜生长速率随沉积层厚度的增加而下降；结构分析发现在TiN/TaN多层膜中存在着独立外延生长的(111)和(100)两种取向的调制结构，这两种调制结构的调制周期存在着一定的差异；在我们的实验条件下，调制周期为6nm左右的TiN/TaN多层膜，其硬度提高约50%；在调制比为31时，硬度最大值为34.2GPa，弹性模量为344.9GPa；此外，我们根据结构和力学性能的分析结果，讨论了TiN/TaN多层膜的超硬机制。
%K TiN/TaN多层膜
%K 生长行为
%K 结构特征
%K 力学特性
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2006/V42/I4/389