%0 Journal Article
%T SiC颗粒增强体对铝基复合材料微弧氧化膜生长的影响
%A 薛文斌
%J 金属学报
%P 350-354
%D 2006
%X 通过微弧氧化方法在SiC/2024铝基复合材料表面沉积出较厚的陶瓷膜。测定陶瓷膜的生长曲线，用扫描电镜、X射线衍射分析了膜层的形貌和相组成。着重分析了颗粒增强体在膜层内的形态变化，提出一个金属基复合材料微弧氧化膜生长模型。结果表明，微弧放电烧结作用下，膜层内SiC增强体大部分已被熔化并氧化，只有少数残余的SiC颗粒仍然保留在靠近界面的膜层内。SiC增强体阻碍了微弧氧化膜的生长，但它并没有破坏微弧氧化膜的完整性，这同复合材料阳极氧化膜结构完全不同。
%K 微弧氧化
%K 铝基复合材料
%K 陶瓷膜
%K 生长机理
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2006/V42/I4/350