%0 Journal Article
%T 等离子体化学气相沉积TiN膜的研究
%A 李世直
%A 徐翔
%J 金属学报
%P 229-235
%D 1988
%X 采用直流等离子体化学气相沉积技术,在高速钢、Si(100)和Si(111)基体上沉积TiN膜,并对膜的晶体结构、表面形貌、断口结构、显微硬度、氯含量等进行了测定和分析,部分样品进行了二次离子质谱(SIMS)、Auger谱(AES)和X光光电子谱(ESCA)等分析.试验表明在不同基材上沉积的TiN膜,只要沉积参数相同,膜的结构和性能都相同.在沉积温度500℃左右,TiN膜的生长方式有一转变,即可能是由层生长转变为岛状生长.直流PCVD法生成的TiN膜,其NTi≈11,有强的(200)织构,膜与基体间有较宽的共混区,因而结合强度高和耐磨性好,适于用作耐磨镀层.
%K 等离子体化学气相沉积
%K TiN膜
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1988/V24/I3/229