%0 Journal Article
%T 用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区
%A 季国坤
%A 刘年庆
%A 王淑英
%A 姜健
%A 熊良钺
%A 龙期威
%J 金属学报
%P 677-681
%D 1981
%X 正电子湮灭技术对材料的空位、位错等缺陷均十分灵敏,已广泛用于研究点阵缺陷及有关问题。由于塑性区内部塑性变形不均匀,故其内部缺陷密度分布亦是不均匀的,可能导致不均匀的正电子湮灭效应。本文尝试用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1981/V17/I6/677