%0 Journal Article
%T 单源低能离子束辅助沉积类金刚石薄膜结构及性能研究
%A 朱宏
%A 柳襄怀
%A 任琮欣
%A 陈国梁
%A 邹世昌
%J 金属学报
%P 139-144
%D 1995
%X 用单源低能氩离子束辅助沉积（ＩＢＡＤ）法制备了非晶碳薄膜．氩离子能量为４００－１５００ｅＶ．膜面光滑致密，与衬底的结合力较高。用Ｒａｍａｎ，ＦＴＩＲ，ＨＲＴＥＭ，ＴＥＤ，ＳＥＭ，ＥＲＤ及ＲＢＳ研究了薄膜的形貌、结构和组分，测量了膜的电阻率、显微硬度及摩擦系数．薄膜为无定形的类金刚石（ＤＬＣ）．其中含氢约为２０５ａｔ．－％，碳原子与氢原子几乎没有形成Ｃ－Ｈ键．随着离子束能量及束流的增加，显微硬度、摩擦系数增加，电阻率减小．硬度增加是由于薄膜致密度的增加，而电阻率降低是由于膜中金刚石键（ｓｐ~３键）含量减少的缘故．
%K 离子束辅助沉积
%K 类金刚石薄膜
%K 结构
%K 性能
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1995/V31/I15/139