%0 Journal Article
%T 用正电子湮没技术研究Zr对Ni_3Al缺陷态的影响
%A 谷月峰
%A 邓文
%A 郭建亭
%A 熊良钺
%A 林栋梁
%J 金属学报
%P 238-240
%D 1995
%X 本文用正电子湮没技术（ＰＴＡ）研究了含不同ｚｒ量多晶Ｎｉ３Ａｌ的ｅ＋寿命谱。结果表明在Ｎｉ３Ａｌ中加入Ｚｒ，一部分Ｚｒ原子进行原子替位，使晶格发生畸变，导致基体中正电子寿命（τ_１）增长；另一部分在晶界偏聚的Ｚｒ调整了晶界结构，使平均寿命（τ）下降。当Ｚｒ量为１．２ａｔ．－％时，缺陷态的寿命τ２显著增长，表明有自由体积较大的缺陷组态生成．
%K 正电子湮没
%K Ｎｉ_３Ａｌ
%K Ｚｒ
%K 缺陷态
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1995/V31/I17/238