%0 Journal Article
%T 有源位错群的动力学特性——Ⅰ.用计算机模拟有源位错群的滑移运动
%A 巴图
%A 雷琼芝
%J 金属学报
%P 177-184
%D 1981
%X 本文从位错源开动条件和ν=c_0(τ/τ_0))~m的关系式出发,利用硅单晶中孤立位错运动的实验数据,计算模拟了在恒定应力作用下有源位错群的滑移运动,得出1.有源位错群中领先位错的运动速度(v_1)与孤立位错的运动速度(v_(iso))之比约等于1.36,这和实验结果比较接近。2.在有源位错群中,位错的平均速度等于v_(iso)。3.在有源位错群中,位错的平均密度与外加应力成正比,位错源产生位错的速率dN/dt∝τ_α~(m+1)e~(-(Q/kT)
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1981/V17/I2/177