%0 Journal Article
%T γ-TiAl基双相合金中初生α_2/γ片层的界面分析
%A 秦高梧
%A 郝士明
%A 宋丹
%J 金属学报
%P 1279-1283
%D 1998
%X 利用金相法及TEM研究了γ-TiAl基（γ十α2）双相合金初生（α2／γ）片层形成过程中的界面特征及形成方式．发现合金中初生α2／γ片层组织是通过α→αss2→α2＋γ或α→α＋γ→α2＋γ相变方式形成的．γ片层的析出是通过在原α或αss2晶界处形核，以体积扩散控制的台阶机制生长，1000℃时γ片层的伸长速度约为（1．0—3．33）×10(-7)m／γ．并确定初生α2／γ界面为半共格，估算α2／γ界面能约为0．274J／m2．
%K 台阶机制
%K 界面位错
%K TiAl合金
%K 初生α_2／γ片层
%K 错配
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1998/V34/I12/1279