%0 Journal Article
%T Cu/MgO界面位错的高分辩率电子显微镜研究
%A 刘红荣
%A 蔡灿英
%A 杨奇斌
%J 金属学报
%P 234-236
%D 2003
%X 用高分辩透射电子显微镜对内氧化产生的Cu/MgO界面进行了研究，观察到了取向关系相同的两种不同界面。并运用近重点陈模型对其界面结构进行了研究，求出了失配位错了3个Burgers矢量和次级位错的3个Burgers矢量，它们分别为失配位错之间的距离与实验测量结果符合得很好。
%K Cu/MgO界面
%K 近重位点陈
%K 失配位错
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2003/V39/I3/234