%0 Journal Article
%T La2NiO4.147体系相变的低频内耗
%A 张华力
%A 刘卫
%A 苏金瑞
%A 丁锦文
%A 陈初升
%J 金属学报
%P 1157-1159
%D 2003
%X 通过电化学加氧方法获得额外氧含量δ=0．147、结构为Fmmm的La2NiO4+δ样品，低频内耗测量表明，400K温区附近存在一个相变内耗峰，它对应体系从低温正交Fmmm相到高温四方I4／mmm相的转变，模量和内耗的升、降温回滞现象反映此相变为一级相变．变频和改变升温速率内耗实验表明，内耗峰高与测试频率成反比，与升温速率成正比，具有马氏体相转变特征，低δ值的La2NiO4+δ样品无此相变峰，说明此峰应与低温正交Fmmm相中额外氧的三维有序变化相关.
%K La2NiO4
%K 额外氧
%K 低频内耗
%K 马氏体相变
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2003/V39/I11/1157