%0 Journal Article
%T Cu的腐蚀与缓蚀的光电化学研究
%A 徐群杰
%A 朱律均
%A 齐航
%A 曹为民
%A 周国定
%J 金属学报
%P 1360-1365
%D 2008
%X 用光电化学方法研究了Cu在不同浓度NaCl的硼酸--硼砂溶液中的腐蚀以及缓蚀剂聚天冬氨酸(PASP)对Cu的缓蚀作用.Cu在硼酸--硼砂缓冲溶液中,表面的Cu2O膜为p型半导体.当Cu所在的溶液中存在少量NaCl(小于0.5g/L)时,Cu表面Cu2O膜会受轻微Cl-掺杂但不会改变半导体性质;当溶液中存在较多NaCl(0.5-15g/L)时,Cu2O膜会受Cl-较严重的侵蚀,Cl-掺杂使Cu2O膜部分转成n型;当溶液中存在大量NaCl(大于15g/L)时,Cu$_{2}$O膜完全被Cl-掺杂而转型成n型.缓蚀剂PASP的加入能够对Cu起到缓蚀作用当NaCl浓度为2g/L时,PASP与溶液中的Cl-在Cu表面竞争吸附,明显抑制了Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O受到了保护仍为p型;在NaCl浓度为30g/L时,PASP与Cl-竞争吸附只能削弱Cl-对Cu2O膜的掺杂,Cu2O膜仍受Cl-掺杂而转成n型,但n型性质变弱.对Cu2O膜性质的Mott-Schottky测试结果与光电化学结果一致.
%K Cu
%K 光电化学
%K 腐蚀
%K 缓蚀剂
%K 聚天冬氨酸
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2008/V44/I11/1360