%0 Journal Article
%T CVD法合成SiC晶须的实验研究
%A 陈卫武
%A 邹宗树
%A 王天明
%J 金属学报
%P 643-649
%D 1997
%X 利用简单的实验设备，特殊的金属丝作触媒，以SiO2和C为原料，利用碳热还原反应生成的SiO和CO，通过CVD（化学气相沉积）的方法快速合成α－SiC晶须用光学显微镜研究了晶须的生长速度，通过TEM研究α-SiC晶须的结构和生长方式讨论了这种方法中α-SiC晶须生长的热力学条件、机理及生长动力学模型
%K CVD
%K SiC晶须
%K 合成
%K 机理
%K 热力学条件
%K 动力学模型
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1997/V33/I6/643