%0 Journal Article
%T 硅单晶中层错与氢的交互作用
%A 蒋柏林
%A 职任涛
%A 褚武扬
%J 金属学报
%P 573-576
%D 1997
%X 利用阴极充氢法，向硅单晶表面注入氢离子，用化学浸蚀法观察晶体表面氢与层错间的相互作用层错，特别是Frank半位错在硅单晶表面的露头处是原子氢的择优聚集区，原子氢化合成分子氢后能诱发大的晶格畸变利用化学浸蚀法，观察到了氢与层错的相互作用
%K 硅单晶
%K 氢
%K 层错
%K 晶格畸变
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1997/V33/I6/573