%0 Journal Article
%T Cu在Pt(111)面上电结晶的成膜过程研究
%A 印仁和
%A 曹为民
%A 施文广
%A 孙洁林
%A 毛秉伟
%A 孙世刚
%J 金属学报
%P 892-896
%D 1998
%X 采用0．001mol／LCuSO4＋0．5mol／LH2SO4溶液体系，在Pt单晶球电极作循环伏安曲线，得到Cu存在欠电位沉积和本体沉积两个阶段，利用电化学扫描隧道显微镜观察到在欠电位下Cu在Pt（111）面上为单层平面生长，本体沉积为三维岛状生长，并随过电位升高，Cu的成核数目增加．用反射电子显微镜法也观察到高过电位时在Pt（111）面上的岛状铜．证实了Cu在Pt（111）面上的Stranski—Krastanov生长机理
%K 欠电位沉积
%K 电化学扫描隧道显微镜
%K 反射电子显微镜
%K Stranski—Krastanov生长机理
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y1998/V34/I8/892