%0 Journal Article
%T 扩散阻挡层对Cu-Zr纳米合金膜电阻率与残余应力的影响
%A 宋忠孝
%A 鞠新华
%A 徐可为
%J 金属学报
%P 723-726
%D 2002
%X 用磁控溅射和离子束溅射共沉积的方法分别在以单晶硅为基体的TiN,TaN,ZrN扩散阻挡层上沉积了Cu-Zr合金膜,膜在400℃氮气中退火1h.结果表明扩散阻挡层对膜的晶体取向、电阻率和残余应力有很大影响.沉积态的膜具有强的(111)取向,且峰型严重展宽;退火后峰型明显锐化,出现(200)等晶体取向;对应TiN,TaN,ZrN三种扩散阻挡层,膜的电阻率在沉积态时分别达108,327和478μΩ@cm,退火后降至正常的数个μΩ@cm;扩散阻挡层亦可明显降低膜的残余应力,无扩散阻挡层时膜的退火应力达475MPa,有ZrN扩散阻挡层后退火应力降至149MPa.
%K 扩散阻挡层
%K Cu-Zr合金膜
%K 电阻率
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2002/V38/I7/723