%0 Journal Article
%T 磁场退火对CoFeNiNbSiB薄带巨磁阻抗的影响
%A 吴厚政
%A 刘宜华
%A 代由勇
%A 张林
%A 萧淑琴
%J 金属学报
%P 1087-1090
%D 2002
%X 本文研究了磁场退火对CoFeNiNbSiB非晶薄带巨磁阻抗(GMI)效应的影响样品在不同条件下进行了退火热处理.结果表明,在300℃下经横向磁场退火处理后获得了最佳的软磁特性,从而得到了最大的GMI效应.在800kHz的交变电流频率下,得到了236%的最大磁阻抗比.在低场下,材料的磁阻抗磁场灵敏度达到1152%/mT.
%K 巨磁阻抗效应
%K 非晶态软磁钴基合金薄带
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2002/V38/I10/1087