%0 Journal Article
%T 低能离子束辅照对溅射镀TiN膜生长的影响
%A 李铸国
%A 华学明
%A 吴毅雄
%A 三宅正司
%J 金属学报
%P 1087-1090
%D 2005
%X 用诱导型等离子体辅助磁控溅射装置在Si(100)表面低温沉积TiN膜,研究了高密度低能量(≈20eV)离子束辅照对溅射镀TiN膜生长、结构和性能的影响。结果表明,高密度低能离子束辅照会改变TiN膜的择优生长方向并使薄膜致密化。即使沉积温度低于150℃,当入射基板离子数和Ti原子数的比值J/JTi≥4.7时,沉积的TiN膜仍可具有完全的(200)面择优生长,薄膜微观结构致密,硬度达到25GPa,残余压应力小。
%K TiN薄膜
%K 物理气相沉积(PVD)
%K 择优取向
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2005/V41/I10/1087