%0 Journal Article
%T 电迁移作用下SnPb与Ni(P)界面金属间化合物的极性生长
%A 陆裕东
%A 何小琦
%A 恩云飞
%A 王歆
%A 庄志强
%J 金属学报
%P 178-182
%D 2009
%X 采用球栅阵列封装(BGA)焊点研究共晶SnPb焊点中的电迁移行为,分析了电迁移作用下SnPb焊点与Ni(P)镀层界面金属间化合物(IMC)的极性生长现象,从原子迁移的角度提出了互连焊点微结构演化的微观机理.焊点在焊接过程中形成厚度约为2μm的Ni3Sn4IMC层,随后的120℃热处理并不会导致界面IMC的明显生长.而电迁移作用下,阳极焊点与镀层界面IMC出现异常生长,同时阴极焊点与镀层界面IMC生长受到抑制,最终在同一焊点中形成极性生长的现象.界面IMC的极性生长与电迁移引起的原子通量有关,Sn原子通量方向与电子流方向相同,而Ni原子通量方向相反,导致阳极界面IMC的异常生长,而相同的原子迁移特性导致阴极界面IMC的生长受到抑制.
%K SnPb
%K 焊点
%K 金属间化合物
%K 电迁移
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2009/V45/I2/178