%0 Journal Article
%T 磁场沉积态FeCuCrVSiB薄膜的软磁特性和巨磁阻抗效应
%A 陈卫平
%A 冯尚申
%A 邵先亦
%A 萧淑琴
%A 刘宜华
%J 金属学报
%P 615-619
%D 2009
%X 采用射频溅射法,在无磁场和施加72kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析.结果表明,在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能,与无磁场沉积态相比,样品的矫顽力从1.080kA/m降低到0.064kA/m,在13MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%.GMI效应与磁导率比的大小密切相关.无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应,而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应.在13MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%.这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性.
%K FeCuCrVSiB薄膜
%K 巨磁阻抗效应
%K 软磁特性
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2009/V45/I5/615