%0 Journal Article
%T Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO2/Si多层膜界面可控反应及热稳定性研究
%A 张彦坡
%A 任丁
%A 林黎蔚
%A 杨斌
%A 王珊玲
%A 刘波
%A 徐可为
%J 金属学报
%P 1264-1268
%D 2013
%R 0.3724/SP.J.1037.2013.00284
%X 利用多靶磁控溅射技术在SiO2/Si基体上沉积Cu/Cu(Ge,Zr)多层薄膜,采用四探针仪(FPPT),X射线衍射仪(XRD),高分辨透射电镜(HRTEM),X射线光电子能谱(XPS)和原位纳米电子束探针能谱(EDS)表征多层薄膜退火前后电阻率、微观结构和界面成分的演变及行为.结果表明,在低温退火阶段(450℃),Zr原子在Cu3Ge/SiO2界面析出并与SiO2层进一步反应形成稳定非晶ZrOx/ZrSiyOx化合物.Cu(Ge,Zr)薄膜中异质原子及与相邻膜层间分步选择性自反应合成高热稳Cu3Ge/ZrOx/ZrSiyOx复合阻挡层,使Cu/Cu(Ge,Zr)/SiO2/Si多层膜具有高热稳定性.
%K Cu(Ge
%K Zr)薄膜
%K 界面反应
%K 选择性自反应
%K 热稳定性
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2013/V49/I10/1264