%0 Journal Article
%T Ce-Cu共掺杂对SnO2薄膜光电特性的影响*
%A 单麟婷
%A 巴德纯
%A 曹青
%A 侯雪艳
%A 李建昌
%J 金属学报
%P 95-102
%D 2014
%R 10.3724/SP.J.1037.2013.00210
%X 采用溶胶凝胶法制备不同Ce含量的Ce-Cu共掺杂SnO2薄膜,通过实验及第一性原理计算研究了掺杂对SnO2微观结构及光电特性的影响.结果表明,掺杂后薄膜物相未发生较大变化,Cu,Ce均以替代Sn位形式掺入,形成,受主型缺陷.随Ce掺杂浓度增加,薄膜晶粒尺寸和光学带隙均减小,电阻率先减小后增大,Ce掺杂量影响薄膜内陷阱分布从而导致电阻发生改变.PL光谱测试发现,SnO2在390nm处出现紫外发光峰,主要与O空位有关,Ce3+的5d→4f跃迁在470nm处产生蓝光发光峰,且随掺杂浓度增加发光峰强度先增大后减小并发生红移.第一性原理计算表明,Cu3d态在价带顶上方产生受主能级,而Ce掺杂后使导带整体下移,光带隙减小,进而提高导电性.
%K Ce-Cu共掺杂SnO2
%K 溶胶凝胶法
%K 光电特性
%K 第一性原理
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2014/V50/I1/95