%0 Journal Article
%T 静电场处理对GH4169合金中d相析出行为的影响
%A 王磊
%A 安金岚
%A 刘杨
%A 宋秀
%A 胥国华
%A 赵光普
%J 金属学报
%P 1235-1241
%D 2015
%R 10.11900/0412.1961.2015.00375
%X 将静电场应用于GH4169合金的时效过程,研究了静电场对合金d相沉淀析出行为的影响规律,并探讨了其机理.结果表明,合金在850℃以8kV/cm静电场强度进行15min时效,d相开始在晶界析出;时效1h晶内分布大量γ’’相.随时效时间延长,d相尺寸增大、体积分数增加,γ’’相尺寸亦增大.与未加静电场时效处理相比,静电场时效处理后合金中d相体积分数降低、尺寸减小,γ"相体积分数升高;晶界d相中Nb原子分数降低、Fe和Cr原子分数升高,晶界d相点阵常数c减小、a和b增大.由于静电场时效处理后合金中平均空位浓度升高,促进了Fe和Cr原子扩散,同时Fe和Cr原子置换晶界d相中Nb原子,Nb原子固溶入晶内.另一方面,空位浓度的升高增加了γ’’相非匀质形核几率,促进γ’’相析出.同时,空位亦可松弛基体γ相与γ’’相的共格畸变,有效抑制了γ’’相向d相转变,增加了强化相γ’’相的稳定性.
%K GH4169合金
%K 电场处理
%K d相
%K γ’’相
%U http://www.ams.org.cn/CN/Y2015/V51/I10/1235