%0 Journal Article
%T 巨介电CCTO及CCTO/聚合物研究
%A 王亚军
%A 王芳芳
%A 冯长根
%A 曾庆轩
%J 化学进展
%P 1981-1988
%D 2013
%R 10.7536/PC130145
%X 具有类钙钛矿结构的钛酸铜钙CaCu3Ti4O12(CCTO)介电陶瓷材料以其巨介电特性、介电常数的温度和频率稳定性及非线性等特性在材料研究领域和实际应用中受到广泛关注。本文比较了CCTO各种巨介电理论和模型,详述了目前能够较合理地解释CCTO巨介电特性的内部阻挡层电容模型(IBLC)。综述了制备方法、制备条件及改性方法对CCTO介电性能的影响。离子掺杂是降低CCTO介电损耗常用的方法之一,掺杂效果受掺杂离子半径、离子价态等多种因素的影响。将陶瓷粉体与聚合物进行复合形成0-3型复合材料是目前制备综合性能良好的介电材料的有效方法,对CCTO/聚合物复合材料的研究进展进行了评述。最后,展望了CCTO陶瓷材料的发展前景。
%K 介电性能
%K 复合材料
%K 钛酸铜钙
%K 掺杂改性
%U http://www.progchem.ac.cn/CN/abstract/abstract11233.shtml