%0 Journal Article
%T 类石墨烯二硫化钨薄膜的化学气相沉积法制备及其应用
%A 尤运城
%A 曾甜
%A 刘劲松
%A 胡廷松
%A 台国安
%J 化学进展
%P 1578-1590
%D 2015
%R 10.7536/PC150433
%X 类石墨烯过渡金属硫属化合物如MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等因为具有层数依赖的带隙结构而受到了广泛关注。尤其是本征态的WS2为双极性半导体,它同时具有n型和p型电输运特性,有望在电子电路、存储器件、光电探测和光伏器件方面得以广泛应用。近年来,化学气相沉积技术已经被广泛用于制备大面积二维硫属化合物(如MoS2,MoSe2,WS2和WSe2)原子层薄膜。目前关于其他二维材料体系的综述文献介绍较多,但是针对WS2介绍的综述文献还鲜有报道。因此,本文综述了类石墨烯WS2薄膜的化学气相沉积法制备和相关器件的国内外研究进展,讨论了WS2薄膜的化学气相沉积法制备机理及生长因素如硫粉含量、载气的成分、反应温度、基底材料等对薄膜成膜质量的影响,介绍了WS2薄膜在晶体管、光电器件及与其他二维材料构成的异质结构器件的最新研究成果,并对可能存在的问题进行了分析和述评。
%K WS2薄膜
%K 化学气相沉积法
%K 晶体管
%K 异质结构
%K 光电器件
%U http://www.progchem.ac.cn/CN/abstract/abstract11635.shtml