%0 Journal Article
%T SiOx(X≤2)基电致发光体系研究进展
%A 张文彬
%A 张开坚
%A 李新军
%A 何明兴
%J 科技导报
%P 12-18
%D 2006
%X 近年来,SiOx(X≤2)基电致发光材料发展迅速。着重讨论了5种具有实用潜力Si基LED包括离子掺杂、Si-nc嵌SiO2、多孔硅、a-Si(C)H以及MOS结构,并对其电致发光机理以及存在的问题如量子效率低、稳定性差进行了分析,认为电致发光原子SiOx(X≤2)中发光中心和界面缺陷处载流子的辐射复合。在激子碰撞和电子空穴复合发光体系中,提高载流子的平衡注入能够显著提高量子效率。在对比SiOx(X≤2)基LED研究的基础上,对下一步发展提出了建议。
%K 氧化硅
%K 电致发光
%K 掺杂
%K 量子效率
%K 载流子
%U http://www.kjdb.org/CN/abstract/abstract1034.shtml