%0 Journal Article
%T 闪锌矿ZnSe电子结构的第一性原理
%A 王风
%A 程志梅
%A 刘高斌
%J 科技导报
%P 53-56
%D 2010
%X 采用基于密度泛函理论（DFT）框架下的第一性原理平面波赝势（PWP）方法，计算了闪锌矿结构ZnSe晶体的晶格常数、能带结构、态密度以及电荷布居，计算结果表明，闪锌矿结构的ZnSe是一种直接带隙半导体材料，其下价带主要由Zn3d电子贡献，上价带主要由Se4p电子形成，导带主要来自于Zn4s电子以及Se原子最外层电子，Zn原子与Se原子之间形成的是包含弱离子键的共价键，净电荷值分别为0.14e和-0.14e。
%K 闪锌矿ZnSe
%K 平面波赝势方法
%K 电子结构
%K 第一性原理
%U http://www.kjdb.org/CN/abstract/abstract3019.shtml