%0 Journal Article
%T 不同掺杂元素对GaN基材料发光性能影响研究进展
%A 赵君芙
%A 邵桂雪
%A 李天保
%A 梁建
%A 许并社
%J 科技导报
%P 76-79
%D 2011
%R 10.3981/j.issn.1000-7857.2011.09.013
%X 由于GaN材料本身具有的极大优越性，如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、高异质结界面二维电子气浓度等，决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位，而高质量GaN的掺杂制备一直是研究者关注的热点。本文根据近几年国内外对掺杂GaN基材料的研究成果，总结概括了IIA族、过渡族以及稀土族元素对GaN的掺杂，分析讨论了不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响，并以Mg掺杂GaN为例，对比了各种掺杂技术的优缺点
%K GaN
%K IIA族金属掺杂
%K 过渡族掺杂
%K 稀土掺杂
%K 光致发光
%U http://www.kjdb.org/CN/abstract/abstract3327.shtml