%0 Journal Article
%T Ni_(51)Mn_(25.5)Ga_(23.5)单晶大的自发相变应变和磁感生应变
%A 游素琴
%A 武亮
%A 孔春阳
%A 马勇
%A 杨晓红
%A 崔玉亭
%J 重庆师范大学学报(自然科学版)
%P 57-61
%D 2008
%R 10.11721/cqnuj20080214
%X 通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的马氏体相变应变测量,研究了Ni51Mn25.5Ga23.5单晶的马氏体相变和磁感生应变特性。伴随马氏体相变,该单晶展现出一个应变量高达-1.62%的自发双向形状记忆效应。采用磁场下冷却的方法,在材料的马氏体相获得了一个量值高达-1.5%且可逆的磁感生应变,该值近似为零场下冷却测量得到的磁感生应变的2倍。根据单晶生长机制和NiMnGa合金形状记忆特性,对上述结果进行了讨论。
%K 马氏体相变
%K 形状记忆效应
%K 磁感生应变
%U http://cqnuj.cqnu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=20080214