%0 Journal Article
%T 垂直外腔面发射激光器的模拟分析
%A 倪演海
%A 戴特力
%A 梁一平
%A 杜亮
%A 伍喻
%J 重庆师范大学学报(自然科学版)
%P 55-59
%D 2011
%X 垂直外腔面发射激光器芯片的生长工艺要求精确到nm量级，制作成本高，有必要用软件对设计好的VECSEL芯片进行仿真，实现优化。通过PICS3D软件对已经设计好的一个底发射的VECSEL芯片结构进行仿真，获得了量子阱有源区的带隙结构、材料增益曲线及子腔谐振谱线等特性。结果表明，InGaAs/GaAsP/A1GaAs材料体系能够有效地吸收808nm的泵浦光，产生足够多的光生载流子（电子―空穴对），这些载流子能轻易地渡越应变补偿层，被量子阱俘获，产生复合发光。其发光带隙1.25eV，相应波长992nm，接近设计波长980nm。InGaAs的材料增益峰值波长正好在980nm处，增益系数高达4000cm-1.InGaAs/GaAsP/A1GaAs量子阱的谐振峰值波长为983nm，与980nm的分布布拉格反射镜（DBR）的反射中心波长非常接近，其峰值功率高达23dB，理论上能够获得较大的输出功率。
%K C42+分子
%K 电声耦合
%K Td对称性
%K 哈密顿量
%K 杨G泰勒畸变
%K 能级分裂
%U http://cqnuj.cqnu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=1113