%0 Journal Article
%T 沉积温度对PECVD 法制备SiNx 薄膜光致发光峰的影响
%A 蒋一祥
%A 苑进社
%A 邹祥云
%J 重庆师范大学学报(自然科学版)
%P 77-79
%D 2012
%R 10.11721/cqnuj20120216
%X SiNx薄膜已经被广泛地应用于晶体硅太阳能电池表面作为减反和钝化膜,所以对SiNx薄膜的光学性质研究很有必要。本文采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在p型单晶硅(111)衬底上成功地制备了不同温度条件下的SiNx薄膜。室温下,在352nm光源激发下,每个样品有2个发光位置,所有样品总共观测到了4处不同的发光峰位390、471、545、570nm,并且发现温度对390nm处的发光峰位置无影响。由于杂质的引入在带间形成了局域化的缺陷能级,缺陷态能级和导带以及价带之间的跃迁是其主要的跃迁机制。因此,可以通过控制薄膜的生长条件来控制各个缺陷态密度,从而可以实现氮化硅薄膜在可见光范围内的可控发光。
%K PECVD
%K SiNx薄膜
%K 光致发光
%U http://cqnuj.cqnu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=120216