%0 Journal Article
%T Cd掺杂对ZnO∶In薄膜光电性质的影响
%A 孟祥丹
%A 孔春阳
%A 李万俊
%A 秦国平
%A 阮海波
%A 赵永红
%A 卞萍
%J 重庆师范大学学报(自然科学版)
%P 107-110
%D 2013
%R 10.11721/cqnuj20130323
%X ZnO∶(In，Cd)薄膜；光学性质；电学性质采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备了不同Cd掺杂浓度的ZnO∶(In，Cd)薄膜，并研究了Cd掺杂浓度对薄膜光学和电学性质的影响。透射光谱测试发现，掺Cd对薄膜的透射率影响不大，都在80%以上，且随着Cd掺杂浓度的增加，薄膜的禁带宽度在3.253~3.148eV范围内减小。霍尔测试表明，Cd掺杂增强了薄膜的导电性，当Cd掺杂浓度为0at.%、2at.%和4at.%时，薄膜的电阻率分别为（2.68×10-1）、（1.30×10-1）和（6.83×10-2）Ω？cm。结合理论计算和光致发光谱分析认为，Cd掺入后ZnO的导带明显下移，这不仅导致ZnO∶(In,Cd)薄膜的带隙变窄，同时使施主杂质(Zni和InZn等)的电离能减小，从而增强了薄膜的导电性能。
%K ZnO∶(In
%K Cd)薄膜
%K 光学性质
%K 电学性质
%U http://cqnuj.cqnu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=130322