%0 Journal Article
%T N-In共掺p型ZnO薄膜的结构和电学特性研究
%A 赵永红
%A 孔春阳
%A 秦国平
%A 李万俊
%A 阮海波
%A 孟祥丹
%A 卞萍
%A 徐庆
%A 张萍
%J 重庆师范大学学报(自然科学版)
%P 115-120
%D 2013
%R 10.11721/cqnuj20130325
%X 采用射频磁控溅射技术在石英衬底上制备ZnO∶In薄膜，以N离子注入的方式进行N掺杂,通过优化退火条件成功实现了ZnO∶In-N薄膜的p型转变。研究发现在590℃退火20min获得性能良好的p-ZnO∶In-N薄膜，其空穴浓度、迁移率和电阻率分别为（1.01×1018）cm-3、3.40cm2？V-1？s-1、1.81Ω？cm。结合XPS分析认为ZnO∶In？N实现p型导电正是由于In的掺入与受主N形成了有利于p型导电的受主InZn-2NO复合体。Hall跟踪测试发现p型导电会随时间变化而最终转变为n型导电，结合XPS和第一性原理计算认为薄膜中存在残余应力和(N2)O施主缺陷是p型不稳定的原因。
%K ZnO∶In-N薄膜
%K 离子注入
%K p型掺杂
%K 稳定性
%K 第一性原理
%U http://cqnuj.cqnu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=130324