%0 Journal Article %T 纳米压印技术制备Si基GaN纳米柱图形化衬底 %A 周平 %A 任霄钰 %A 梁望 %A 苑进社 %J 重庆师范大学学报(自然科学版) %P 97-99 %D 2014 %R 10.11721/cqnuj20140320 %X 采用纳米压印和反应离子刻蚀技术,通过实验研究反应离子刻蚀时间与GaN纳米柱高度的相关性,成功地在Si基GaN衬底上制备出了GaN纳米柱图形化衬底。SEM表征分析发现在图形化衬底上所制备的GaN纳米柱形貌均匀、排列整齐;室温光致发光光谱分析发现GaN纳米柱图形化衬底与GaN材料相比带边发光峰出现2.1nm的红移,发光强度增强。研究结果表明GaN纳米柱内应力得到释放且具有光子晶体的作用。 %K 纳米压印 %K GaN纳米柱 %K PL谱 %U http://cqnuj.cqnu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=140320