%0 Journal Article
%T 纳米压印技术制备Si基GaN纳米柱图形化衬底
%A 周平
%A 任霄钰
%A 梁望
%A 苑进社
%J 重庆师范大学学报(自然科学版)
%P 97-99
%D 2014
%R 10.11721/cqnuj20140320
%X 采用纳米压印和反应离子刻蚀技术,通过实验研究反应离子刻蚀时间与GaN纳米柱高度的相关性,成功地在Si基GaN衬底上制备出了GaN纳米柱图形化衬底。SEM表征分析发现在图形化衬底上所制备的GaN纳米柱形貌均匀、排列整齐;室温光致发光光谱分析发现GaN纳米柱图形化衬底与GaN材料相比带边发光峰出现2.1nm的红移,发光强度增强。研究结果表明GaN纳米柱内应力得到释放且具有光子晶体的作用。
%K 纳米压印
%K GaN纳米柱
%K PL谱
%U http://cqnuj.cqnu.edu.cn/oa/DArticle.aspx?type=view&id=140320