%0 Journal Article
%T 一款抗单粒子瞬态加固的偏置电路
%A 韩本光
%A 曹琛
%A 吴龙胜
%A 刘佑宝
%J 北京理工大学学报
%D 2013
%X 通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC130nmCMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种结构的偏置电路.仿真结果表明,对于提出的加固偏置电路,由单粒子引起的瞬态电压和电流的变化幅值分别减小了约80.6%和81.2%;同时增加的单粒子瞬态抑制电路在正常工作状态下不消耗额外功耗,且所占用的芯片面积小,也没有引入额外的单粒子敏感结点.
%K 抗辐射设计加固
%K 单粒子瞬态
%K 辐射效应
%K 偏置电路
%K 线性能量传输(LET)
%U http://journal.bit.edu.cn/zr/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20130215&flag=1