%0 Journal Article
%T SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析
%A 苏文勇
%A 李蕊
%A 邵彬
%J 北京理工大学学报
%D 2005
%X 对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.
%K SiGe异质结双极晶体管
%K 基区渡越时间
%K Ge分布
%U http://journal.bit.edu.cn/zr/ch/reader/view_abstract.aspx?file_no=20050613&flag=1